Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором 2П7234А-5
Транзистор "2П7234А-5" кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным р-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, в металлокерамическом корпусе КТ-97В, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.
Особенности
- Категория качества ВП,
- Диапазон рабочих температур от - 60 до +125 C,
- Материал покрытия выводов - Н3, Зл.4
- Масса не более 10 г.
Корпусное исполнение - кристаллы на общей пластине.
Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.578 ТУ.
Надежность
- 95 - процентный ресурс - 50 000 ч.
- Срок сохраняемости - 25 лет.
Указания по эксплуатации
Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением испытаний потребителем. При монтаже транзистора корпус должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода из корпуса вывод не испытывал вращающих или изгибающих усилий.
При монтаже транзисторов на теплоотводящий радиатор необходимо соблюдать следующие требования:
- для улучшения теплового баланса, установку транзисторов на радиатор осуществлять с помощью теплопроводящих паст или специальных мягких прокладок;
- запрещается припайка теплоотводящей поверхности корпуса к теплоотводу;
- допускается электрическая изоляция корпуса транзистора от радиатора, при этом задание электрического режима должно производится с учетом теплового сопротивления изолирующей прокладки или пасты. При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий транзисторы необходимо крепить за корпус.
Наименование параметра, режим измерения, единица измерения | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | ||
не менее | не более | ||||
Остаточный ток стока, мкА (UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В) | IС. ост | - | -100 | 25±10 | |
Ток утечки затвора, нА (UЗИ = ±20 В, UСИ = 0 В) | IЗ. ут | - | ±3 | 25±10 | |
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом (tи 300 мкс, Q 50, UЗИ = 10 В, IС = 1,0 А) | RСИ. отк | - | 0,22 | 25±10 | |
Пороговое напряжение, В (UЗИ = UCИ, IС = 0,25 мА) | UЗИ. пор | -2,0 | -4,0 | 25±10 | |
Постоянное прямое напряжение диода, В (UЗИ = 0 В, IС = 1,0 А, tи 300 мкс, Q 50) | Uпр | - | 2,0 | 25±10 |