Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т916А

Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т916А фото 1
No votes yet
Срок доставки: 
5 - 15 дней
Цена:
По запросу

Сверхвысокочастотный эпитаксиально-планарный мощный транзистор "2Т916А" в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах, автогенераторах и другой аппаратуре специального назначения.

Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: аАО.339.136ТУ. Корпусное исполнение - корпус КТ-16-2.

Технические характеристики
Параметры Буквенное обозначение Единица измерения Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 55
Напpяжение коллектоp-эмиттеp (Rбэ=10Ом) Uкэ max В 55
Напряжение эмиттер-база Uэб max С 3,5
Постоянный ток коллектора Iк max мА 2000
Импульсный ток коллектора Iки max А 4
Температура перехода Тj C 160
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк max Вт 30