Транзистор КТ502Г

Артикул:

9886

Производитель:

ООО «Транзистор»

Наличие на складе:

Уточняйте у менеджера

Цена по-запросу

Под заказ

В корзину

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502Г предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Обозначение технических условий

аАО. 336.182 ТУ/02

Особенности

- 45 до + 100 C
Комплиментарная пара КТ503

Корпусное исполнение

пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)

Назначение выводов
Вывод	Назначение
№1	Эмиттер
№2	База
№3	Коллектор

Основные электрические параметры КТ502 при Токр. среды = 25 С
Параметры	Обозначение	Ед. изм.	Режимы измерения	Min	Max
Гр. напряжение коллектор-эмиттер	Uкэо гр.	B	Iк=-10mA, Iб=0	-25-80	-
Обратный ток коллектора	Iкбо	мкА	Uкб= Uкб max	-	-1
Статический коэффициент передачи тока	h21Е	-	Uкэ=-5B, Iк=-10 мA	40	240
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер	Uкэ(нас)	В	Iк=-10 мA, Iб=-1 мA	-	-0,6
Напряжение насыщения база-эмиттер	Uбэ(нас)*	В	Iк=-10 мA, Iб=-1 мA	-	-1,2
Граничная частота коэф. передачи тока	fгр. *	МГц	Uкб= -5B, Iэ=--3 мA	5	-
Емкость коллекторного перехода	Ск *	пФ	Uкб= -5B, f=1МГц	-	50

* Справочные параметры

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ502
Параметры	Обозначение	Ед. измер.	Значение
Напряжение коллектор-база	Uкб max	В	-40-90
Напряжение коллектор-эмиттер	Uкэ max	В	-25-80
Напряжение эмиттер-база	Uэб max	В	-5
Постоянный ток коллектора	Iк max	мА	-150
Импульсный ток коллектора (tи 10)	Iки max	мА	-300
Рассеиваемая мощность коллектора	Pк max	мВт	350
Температура перехода	Tj	C	150

Классификация КТ502
	КТ502А	КТ502Б	КТ502В	КТ502Г	КТ502Д	КТ502Е
Uкб max, В	-40	-40	-60	-60	-80	-90
Uкэ max, В	-25	-25	-40	-40	-60	-80
Uкэо гр.	-25	-25	-40	-40	-60	-80
h21e	40-120	80-240	40-120	80-240	40-120	40-120