Импульсные диодные матрицы КД918Б-1, КД918Г-1
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) КД918Б-1, КД918Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
| Параметры | Обознач. | Ед. измер. | Режимы измерения | Типовое значение |
| Постоянный обратный ток при постоянном обратном напряжении | IR | мА | UR=40B | 6 |
| Постоянное прямое напряжение при постоянном прямом токе | U | В | IF=50мА | 1 |
| Заряд восстановления | Qs | пКл | IF=50мА URМ=10B | 850 |
| Общая ёмкость диода ДМП | Сtot | пФ | UR=0 | 6 |
| Параметры | Обозначение | Единица измерения | Значение | Примечание |
| Максимально допустимое постоянное обратное напряжение | UR max | В | 40 | 1 |
| Максимально допустимое импульсное обратное напряжение при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10 | URM max | В | 60 | 1,2 |
|
Максимально допустимый средний ток через любой одиночный диод или любое количество диодов ДМП при температкре от
минус 60 до +60 С при температуре +85 С |
IFAV max | мА |
50 30 |
3 |
|
Максимально допустимый импульсный прямой ток, при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10 без превышения IFAV max через любой одиночный диод или любое количество диодов в ДМП при температуре от минус 60 до +60 С
при температуре +85 С |
IFM max | А |
0,7
0,5 |
3 |
